Advanced Search

المحرر موضوع: سؤال عن هندسة الالكترونيات  (زيارة 711 مرات)

0 الأعضاء و 1 ضيف يشاهدون هذا الموضوع.

أبريل 19, 2009, 07:37:55 مساءاً
زيارة 711 مرات

القلب الراقي

  • عضو مبتدى

  • *

  • 1
    مشاركة

    • مشاهدة الملف الشخصي
سؤال عن هندسة الالكترونيات
« في: أبريل 19, 2009, 07:37:55 مساءاً »
':010:'


السلام عليكم يا اعضاء المنتدى

عندي سؤال ما عرفت احل لو بس حد يفهمني كيف احل والله يجزيه الف خير

هو بالانجليزي بس انا بعد بترجمه بلعربي للاستفاده

وضرووووووووووي اريد مساعده  اي حل عنده حل يساعدني واكون شاكره

شكرا

والله يوفقكم





1.An n – type sample of Silicon has a uniform concentration of nD = 1016 atoms/cm3 of Arsenic and a p-type Silicon sample has nA = 1015 atoms/cm3 of Boron. For each of the semiconductor material, find the minority carrier concentration at 300 K.
Assume T = 300 K, ni = 1.45 x 1010 cm-3, μn = 1500 cm2/V-s, μp = 475 cm 2/ V-s,
e = 1.6 x 10 -19 C and concentration of silicon atoms, nV = 5 x 10 22 cm-3





*****************************************

وبالعربي:

1. n - عيّنة نوعِ السيليكونِ لَها a تركيز موحّد nD = 1016 ذرّات / سنتيمتر 3 مِنْ الزرنيخِ وa p عيّنة سيليكونِ من نوعِ لَها nA = 1015 ذرّات / سنتيمتر 3 مِنْ البورونِ. لكُلّ مِنْ مادّةِ شبهَ الموصل، اجد التركيزَ ناقلِ الأقليةَ في 300 كْي ؟؟؟.
إفترضْ تي = 300 كْي , ni = 1.45 x 1010 سنتيمتر -3,؟ n = 1500 سنتيمتر 2 / في s،؟ p = 475 سنتيمتر 2 / في s،
e = 1.6 x 10 -19 سي وتركيز ذرّاتِ السيليكونِ , nV = 5 x 10 22 سنتيمتر -3



القلـــــ الراقي ــــــب