بحث في محتويات المنتديات قائمة الأعضاء ملف المساعدة

» نرحب بالضيف الكريم دخول :: سجل

1 الأعضاء الذين يشاهدون هذا الموضوع
>Guest

صفحة: 1 من 2 12>>

[ تتبع هذا الموضوع :: ارسل هذا الموضوع :: اطبع هذا الموضوع ]

reply to topic new topic new poll
الموضوع: MOSFET, ترانزستور التأثير المجالى والمصنوع من ..< السابق | التالي >
 المشاركة رقم: 1
Mgh Offline
6




التصنيف : عضو
الردود : 3538
التسجيل: أغسطس 2002
PostIcon تاريخ الرد : 01/8/2004 الساعة 08:47  انتقل إلى المشاركة اللاحقة في هذا الموضوع.   QUOTE

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
ترانزستور التأثير المجالى والمصنوع من أشباه الموصلات والأكسيد والمعدن


مقدمة :
====
تعتبر أشباه الموصلات النقية (مثل الجرمانيوم والسليكون) موادا ليست جيدة التوصيل للكهرباء كما أنها ليست رديئة التوصيل للكهرباء . وتتوزع الإلكترونات فى أشباه الموصلات حول أنويتها فى مدارات ولكن تتميز أشباه الموصلات النقية بوجود 4 إلكترونات فقط فى المدار الأخير مما يجعلها مستقرة . أى أنها لا تنقل الكهرباء إلا بعد أن يتم تحرير إلكترون من الأربعة عن طريق الحرارة أو عن طريق إضافة شوائب . كما أنها تتحول لعوازل عندما نجبرها على إستقبال إلكترونات أخرى فى مدارها الأخير (بإضافة شوائب ايضا).

>> البلورة السالبة N
============
بإضافة شوائب من مادة يحتوى المدار الأخير للإلكترونات حول ذراتها على 5 إلكترونات مثل الفسفور أو الزرنيخ  إلى المادة شبه الموصلة تتكون البلورة السالبة N  وهى موصلة حيث يزيد فيها عدد الإلكترونات (السالبة) الحرة .

>> البلورة الموجبة P
============
بإضافة شوائب من مادة يحتوى المدار الأخير للإلكترونات حول ذراتها على 3 إلكترونات مثل البورون والألومينيوم والجاليوم  إلى المادة شبه الموصلة تتكون البلورة الموجبة P حيث ينقصها إكتساب إلكترونات للوصول لحالة الإتزان (يعنى وجود فجوات Holes).

>> الوصلة الثنائية:
===========

عند توصيل بللورة من نوع P مع بلورة من نوع N كما بالشكل المرفق تنجذب بعض الألكترونات الحرة من البللورة N إلى الفجوات فى البلورة P وتتكون منطقة وسطية فارغة من حاملات التيار (بعد أن أنجذب كل ألكترون فى هذه المنطقة مع فجوة ولم يعد حرا) وتسمى هذه المنطقة بالمنطقة الميتة (أو المنزوحة) Depletion Area ونتيجة لهذه الظاهرة ووجود نوعين مختلفين من حاملات الشحنة على جانبى المنطقة المنزوحة يتكون جهد على هذه المنطقة يعرف بالجهد الحاجز Barrier Voltage .
والوصلة الثنائية هى فى الحقيقة الثنائى المعروف بالدايود .


الصورة المرفقة
الصورة المرفقة

--------------
هناك أشياء جميلة في حياتنا لكننا لانراها لاننا لانكلف أنفسنا محاولة النظر اليها.. وربما تشابه الايام والروتين يحجب الرؤية عنها
العودة للأعلى
Profile 
 المشاركة رقم: 2
Mgh Offline
6




التصنيف : عضو
الردود : 3538
التسجيل: أغسطس 2002
PostIcon تاريخ الرد : 01/8/2004 الساعة 08:53 انتقل إلى المشاركة السابقة في هذا الموضوع. انتقل إلى المشاركة اللاحقة في هذا الموضوع.   QUOTE

الإنحياز الأمامى :
==========
الشكل المرفق التالى يبين الإنحياز الأمامى للثنائى حيث يوصل الطرف الموجب للبطارية بالبلورة P والطرف السالب بالبللورة N وبهذه الطريقة نستطيع أن نقلل من الجهد الحاجز وندفع الإلكترونات للمرور عبر المنطقة المنزوحة  لتغلق الدارة ويمر التيار فيها.


الصورة المرفقة
الصورة المرفقة

--------------
هناك أشياء جميلة في حياتنا لكننا لانراها لاننا لانكلف أنفسنا محاولة النظر اليها.. وربما تشابه الايام والروتين يحجب الرؤية عنها
العودة للأعلى
Profile 
 المشاركة رقم: 3
Mgh Offline
6




التصنيف : عضو
الردود : 3538
التسجيل: أغسطس 2002
PostIcon تاريخ الرد : 01/8/2004 الساعة 08:57 انتقل إلى المشاركة السابقة في هذا الموضوع. انتقل إلى المشاركة اللاحقة في هذا الموضوع.   QUOTE

الإنحياز الخلفى (العكسى):
==============
الشكل المرفق التالى يبين الإنحياز العكسى للثنائى حيث يوصل الطرف الموجب للبطارية بالبلورة N والطرف السالب بالبللورة P وبهذه الطريقة نستطيع أن نزيد من الجهد الحاجز وندفع الإلكترونات للإنجذاب للطرف الموجب للبطارية والفجوات للإنجذاب للطرف السالب للبطارية مما يزيد من الجهد الحاجز والمنطقة المنزوحة ويوقف مرور التيار فى الدارة.


الصورة المرفقة
الصورة المرفقة

--------------
هناك أشياء جميلة في حياتنا لكننا لانراها لاننا لانكلف أنفسنا محاولة النظر اليها.. وربما تشابه الايام والروتين يحجب الرؤية عنها
العودة للأعلى
Profile 
 المشاركة رقم: 4
Mgh Offline
6




التصنيف : عضو
الردود : 3538
التسجيل: أغسطس 2002
PostIcon تاريخ الرد : 01/8/2004 الساعة 09:03 انتقل إلى المشاركة السابقة في هذا الموضوع. انتقل إلى المشاركة اللاحقة في هذا الموضوع.   QUOTE

===========================================
ترانزستور التأثير المجالى والمصنوع من أشباه الموصلات والأكسيد والمعدن
===========================================

كل هذه المقدمة كانت لوضع الأساس الذى سنستند عليه فى عمل الترانزستور المجالى MOSFET

>> وهو كما بالشكل التالى يتركب من :

1- طبقة سفلية Substrate وهى إما من النوع N (كما بيمين الشكل) أو من النوع P (كما بيسار الشكل)
2- منطقتين من بلورتين من نفس النوع (بعكس الطبقة السفلية N <==> P ) ويمثلان طرفين من أطراف الترانزستور وهما (المصرف Drain والمنبع Source).
3- طبقة من الأوكسيد (ثانى أكسيد السليكون SIO2) وهى مادة غير موصلة للتيار الكهربى (عازلة).
4- طبقة من المعدن وتمثل الطرف الثالث للترانزستور وهو البوابة Gate

>> ونجد أيضا من الشكل أن هذا الترانزستور له نوعان هما ال P-Cahnnel  وال N-Channel  بحسب أختيار نوع الطبقة السفلية والبلورتين الجانبيتين (المصرف والمنبع).

>> ومن النقاط الأربع السابقة نكون قد فهمنا الجزء MOS (شبه موصل - أكسيد- معدن) من أسم هذا الترانزستور .


الصورة المرفقة
الصورة المرفقة

--------------
هناك أشياء جميلة في حياتنا لكننا لانراها لاننا لانكلف أنفسنا محاولة النظر اليها.. وربما تشابه الايام والروتين يحجب الرؤية عنها
العودة للأعلى
Profile 
 المشاركة رقم: 5
Mgh Offline
6




التصنيف : عضو
الردود : 3538
التسجيل: أغسطس 2002
PostIcon تاريخ الرد : 01/8/2004 الساعة 09:09 انتقل إلى المشاركة السابقة في هذا الموضوع. انتقل إلى المشاركة اللاحقة في هذا الموضوع.   QUOTE

فكرة عمل الـMOSFET:
================
فى هذا النوع من الترانزستورات يتم التحكم بتيار الخرج عن طريق جهد (المجال الكهربى) الدخل .. فكيف ذلك ؟
أنظر الشكل التالى (حيث تم توصيل المصرف بالطرف الموجب لبطارية والمنبع بالطرف السالب لها)
1- فى حالة عدم وضع جهد على البوابة Gate فإنه لن يمر أى تيار بين المنبع والمصرف (الشكل الأيسر)
2- فى حالة وضع جهد موجب على البوابة (فى الشكل الأيمن) - لاحظ أن الترانزستور من نوع القناة N - فإن الإلكترونات الحرة الموجودة فى بلورتى المنبع والمصرف ستنجذب للمجال الكهربى الموجب المتكون عند البوابة مكونة قناة لمرور التيار بين المنبع والمصرف.
ويتغير حجم هذه القناة تبعا لقوة المجال الكهربى عند البوابة وبالتالى تتغير قيمة التيار المار بين المنبع والمصرف.


الصورة المرفقة
الصورة المرفقة

--------------
هناك أشياء جميلة في حياتنا لكننا لانراها لاننا لانكلف أنفسنا محاولة النظر اليها.. وربما تشابه الايام والروتين يحجب الرؤية عنها
العودة للأعلى
Profile 
 المشاركة رقم: 6
Mgh Offline
6




التصنيف : عضو
الردود : 3538
التسجيل: أغسطس 2002
PostIcon تاريخ الرد : 01/8/2004 الساعة 09:13 انتقل إلى المشاركة السابقة في هذا الموضوع. انتقل إلى المشاركة اللاحقة في هذا الموضوع.   QUOTE

3- ى حالة وضع جهد سالب على البوابة (فى الشكل الأيمن) - لاحظ أن الترانزستور من نوع القناة P- فإن الفجوات الموجودة فى بلورتى المنبع والمصرف ستنجذب للمجال الكهربى السالب المتكون عند البوابة مكونة قناة لمرور التيار بين المنبع والمصرف.
ويتغير حجم هذه القناة تبعا لقوة المجال الكهربى عند البوابة وبالتالى تتغير قيمة التيار المار بين المنبع والمصرف.


الصورة المرفقة
الصورة المرفقة

--------------
هناك أشياء جميلة في حياتنا لكننا لانراها لاننا لانكلف أنفسنا محاولة النظر اليها.. وربما تشابه الايام والروتين يحجب الرؤية عنها
العودة للأعلى
Profile 
 المشاركة رقم: 7
Mgh Offline
6




التصنيف : عضو
الردود : 3538
التسجيل: أغسطس 2002
PostIcon تاريخ الرد : 01/8/2004 الساعة 09:15 انتقل إلى المشاركة السابقة في هذا الموضوع. انتقل إلى المشاركة اللاحقة في هذا الموضوع.   QUOTE

لاحظ أنه لوجود مادة الأوكسيد (العازلة) بين البوابة وبقية الترانزستور فإن التيار لا يمر بينهما . وفقط يتم التحكم بالتيار المار بين المنبع والمصرف عن طريق الجهد (المجال الكهربى) الموجود على البوابة.  

الـMOSFET المتمم : (CMOS)
====================
مصطلح الCMOS هو أختصار للجملة Complementary Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
وهو عبارة عن دارة تجمع بين ترانزستورين من نوعى N-Channel ,P-Channel
ويكون عمله كالآتى :
1- عندما يكون مستوى الدخل منخفضا على البوابة (LOW) يعمل الترانزستور P-MOS FET (أى الترانزستور ذو القناة P) على تمرير التيار من مصدره لمصرفه . ولا يعمل الترانزستور الآخر.
2- عندما يكون مستوى الدخل مرتفعاعلى البوابة (High) يعمل الترانزستور N-MOS FET (أى الترانزستور ذو القناة N) من مصرفه لمصدره . ولا يعمل الترانزستور الآخر.

أى أنه فى دارة الCMOS يعمل الN-MOS و الPMOS بصورة عكسية (أحدهما يمرر والآخر لا).
ويستفاد من هذه الحالة عند التعامل مع تيارت عالية (قدرات عالية) فيخفف ذلك من تسخين كلا من الترانزستورين حيث يعمل كلا منهما نصف الوقت بينما يريح الأخر مع الحفاظ على حالات الخرج وذلك بإدخال نبضة ساعة على البوابة .


الصورة المرفقة
الصورة المرفقة

--------------
هناك أشياء جميلة في حياتنا لكننا لانراها لاننا لانكلف أنفسنا محاولة النظر اليها.. وربما تشابه الايام والروتين يحجب الرؤية عنها
العودة للأعلى
Profile 
 المشاركة رقم: 8
Mgh Offline
6




التصنيف : عضو
الردود : 3538
التسجيل: أغسطس 2002
PostIcon تاريخ الرد : 01/8/2004 الساعة 09:17 انتقل إلى المشاركة السابقة في هذا الموضوع. انتقل إلى المشاركة اللاحقة في هذا الموضوع.   QUOTE

خاتمة :
====
تعتبر الترانزستورات من نوع MOSFET خليفة الترانزستورات BJT حيث تدخل فى معظم الدارات الحديثة وخصوصا فى بناء الدارات المتكاملة والدارات الرقمية خاصة لما تتميز به من سرعة فى الأداء خصوصا عند إستخدامها كمفاتيح.


--------------
هناك أشياء جميلة في حياتنا لكننا لانراها لاننا لانكلف أنفسنا محاولة النظر اليها.. وربما تشابه الايام والروتين يحجب الرؤية عنها
العودة للأعلى
Profile 
 المشاركة رقم: 9
السفير Offline
11




التصنيف : عضو
الردود : 7214
التسجيل: يونيو 2003
PostIcon تاريخ الرد : 01/8/2004 الساعة 10:06 انتقل إلى المشاركة السابقة في هذا الموضوع. انتقل إلى المشاركة اللاحقة في هذا الموضوع.   QUOTE

السلام عليكم

أتمنى أن الأخ المعلم الثالث رأى الموضوع :)

بارك الله فيك أخي محمد :)
العودة للأعلى
Profile 
 المشاركة رقم: 10
Mgh Offline
6




التصنيف : عضو
الردود : 3538
التسجيل: أغسطس 2002
PostIcon تاريخ الرد : 02/8/2004 الساعة 09:23 انتقل إلى المشاركة السابقة في هذا الموضوع. انتقل إلى المشاركة اللاحقة في هذا الموضوع.   QUOTE

شكرا لك على حضورك أخى السفير

ولكن لماذا المعلم الثالث بالتحديد ؟؟؟


--------------
هناك أشياء جميلة في حياتنا لكننا لانراها لاننا لانكلف أنفسنا محاولة النظر اليها.. وربما تشابه الايام والروتين يحجب الرؤية عنها
العودة للأعلى
Profile 
 المشاركة رقم: 11
السفير Offline
11




التصنيف : عضو
الردود : 7214
التسجيل: يونيو 2003
PostIcon تاريخ الرد : 02/8/2004 الساعة 09:38 انتقل إلى المشاركة السابقة في هذا الموضوع. انتقل إلى المشاركة اللاحقة في هذا الموضوع.   QUOTE

السلام عليكم

أهلا عزيزي محمد .. لأن الأخ المعلم الثالث كان يبحث عن مواد عن ال MOSFET قبل فترة :)

تمنياتي للجميع بالتوفيق :)
العودة للأعلى
Profile 
 المشاركة رقم: 12
salwanrawas Offline
مشرف الهندسة




التصنيف : مشـرف قسم
الردود : 604
التسجيل: مايو 2002
PostIcon تاريخ الرد : 07/8/2004 الساعة 20:52 انتقل إلى المشاركة السابقة في هذا الموضوع. انتقل إلى المشاركة اللاحقة في هذا الموضوع.   QUOTE

الترانزستورات موسفت و خصوصاً القناة n كثيرة الاستخدام في دارات التغذية العاملة في نمط التقطيع سواء كانت بشكل فردي أي بشكل ترانزستور مستقل أو كترانزستور مبني ضمن دارة متكاملة مثل عائلة ال STR
في التلفزيونات و المونيتورات و غيرها من وحدات التغذية ...
و من المهم أن نتعرف على طريقة الفحص الستاتيكي لهذا الترانزستور عندما يكون خارج الدارة و بواسطة المقياس الخاص بالمقاومات
المبدأ بسيط و هام جداً جداً لأن الكثير من زملائنا الفنيون لا يعرفون طريقة فحص هذه الترانزستورات الشاشعة في الأجهزة الحديثة .
نصل الأحمر إلى المصرف و الأسود إلى الى المصدر بينما نترك البوابة حرة يجب أن تكون الممانعة عالية جداً أو لا نهاية
الآن نلمس الطرف الأحمر بالبوابة مع المحافظة على الأسود على المصدر أي نشحن مكثفة البوابة
الأن نعيد ا لاختبار في الخطوة الأولى يجب أن نحصل على ممانعة صغيرة للغاية
نفرغ البوابة بلمس قطبي المصدر و البوابة فيعود الترانزستور لحالته الأساسية


--------------
** مشرف  الهندسة **
 م أحمد سلوان رواس
العودة للأعلى
Profile 
 المشاركة رقم: 13
Mgh Offline
6




التصنيف : عضو
الردود : 3538
التسجيل: أغسطس 2002
PostIcon تاريخ الرد : 10/8/2004 الساعة 11:01 انتقل إلى المشاركة السابقة في هذا الموضوع. انتقل إلى المشاركة اللاحقة في هذا الموضوع.   QUOTE

أشكرك أخى العزيز أحمد سلوان .. أشتقنا إليك بعد غياب

--------------
هناك أشياء جميلة في حياتنا لكننا لانراها لاننا لانكلف أنفسنا محاولة النظر اليها.. وربما تشابه الايام والروتين يحجب الرؤية عنها
العودة للأعلى
Profile 
 المشاركة رقم: 14
salwanrawas Offline
مشرف الهندسة




التصنيف : مشـرف قسم
الردود : 604
التسجيل: مايو 2002
PostIcon تاريخ الرد : 11/8/2004 الساعة 16:07 انتقل إلى المشاركة السابقة في هذا الموضوع. انتقل إلى المشاركة اللاحقة في هذا الموضوع.   QUOTE

نحن أكثر شوقاً بكل تأكيد ..
ما هي إلا إضافة بسيطة لموضوع هام قدمته لنا مع كل الشكر.


--------------
** مشرف  الهندسة **
 م أحمد سلوان رواس
العودة للأعلى
Profile 
 المشاركة رقم: 15
حفيد الفيزياء Offline
1




التصنيف : عضو
الردود : 2
التسجيل: نوفمبر 2004
PostIcon تاريخ الرد : 03/12/2004 الساعة 01:45 انتقل إلى المشاركة السابقة في هذا الموضوع.    QUOTE

السلام  عليكم...

الترونزيستور  مركب الالكتروني  لديه  3 مخارج كهربائية  تسمى القاعدة B (base), باعث C (collecteur), مستقبل E (émetteur).

صورة لترونزيستور BC 547 مكبرة 3 مرات


التمثيل الكهربائي لترونزيستور  في التراكيب الالكترونية:


مبادئ التغشيل:
اذا قمنا  بربط منبع التوتر بين المربطين C&E الترونزيستور لا يسمح  بمرور  التيار. (fig. 1).
اذا اردنا تمرير تيار  بين المربطين C et E, علينا  استعمال  منبع  توتر  ومقاومة  مناسبة.(fig. 2).
إذا كان هناك  تيار  IB  بين B et E فــإن الترونزيستور يسمح بمرور  تيار مقداره  IC = ß . IB حيت ß تساوي تقريبا 100



التمثيل الالكتروني4،5و6 هو  لرسوم 1،2و3 على  التوالي :


 معلوماتي  كانت بالفرنسية  وارجو ان تكون الترجمة  في محلها.
موضوع  جميل ومفيد  شكرا لك Mgh

احترامي   حفيد الفيزياء


--------------
http://www.mpr-frankfurt.de/images/backgrounds/philosophie.gif
العودة للأعلى
Profile 
15 عدد الردود من تاريخ 01/8/2004 الساعة 08:47 < السابق | التالي >

[ تتبع هذا الموضوع :: ارسل هذا الموضوع :: اطبع هذا الموضوع ]


صفحة: 1 من 2 12>>
reply to topic new topic new poll

» رد سريع MOSFET
أزرار أكواد IB
أنت ترسل مشاركة بـ :

هل ترغب في تفعيل توقيعك في هذه المشاركة؟
هل ترغب في تفعيل الإنفعالات لهذه المشاركة؟
تتبع هذا الموضوع
عرض كل الإنفعالات
عرض جميع أكواد IB
Emoticon Emoticon Emoticon Emoticon Emoticon Emoticon Emoticon Emoticon Emoticon Emoticon Emoticon


المنتديات العلمية » الهندسة الكهربائية و الالكترونية » أسس هندسة كهربائية و الكترونية » MOSFET

منذ تاريخ 1/1/1423هـ

eXTReMe Tracker