الخميس، 16. كانون الثاني 2003 11:10
السلام عليكم ورحمة الله وبركاته
الأخت الكريمة فيروز ،
ترانزيستور القدرة
ليس هناك أي اختلاف لسلوك الترانزيستورات العادية ( ترانزيستورات منخفضة الإشارة) وبين ترانزيستورات القدرة (power transistor ) ، ولكن الفرق يكمن في القدرة الكهربائية العالية وقدرة التبدد وقلة المقاومة الحرارية حوله.
الأحرف (A,B) في بداية التسمية تدل على العنصر الكيميائي المصنوع منه الترانزيستور (أنظر للجدول) ، أما (AB) سويا أو مفردا أيضا ، أو © ، فتعني شوط الترانزيستور أو نقطة التشغيل في الدائرة وقد ذكر كلهما في الدروس ، ولكن نقطة التشغيل لم يتعمق بها كافيا لأنها تحتاج لدرسا كاملا أو أثنين ، حيث تدخل في "تقنية الإشارة" وسوف ندخلها بتفاصيل أكثر(ورسمات توضيح) ضمن مراحل الخرج للراديو والتلفزيون لاحقا إنشاء الله، وأرجو أن تستفيد ويكفيك التالي .
تحديد نقطة التشغيل أو الشوط
تساعد نقطة التشغيل في الترانزيستور للوصول إلى الشكل المثالي لموجة الإشارة . تشكل في الترانزيستور جهود القاعدة - المشع وجهود المجمع - المشع نقطة التشغيل للترانزيستور، وتكون جهود المجمع - المشع فرق الجهد بين جهد التشغيل وبين ما يقع من جهد في المقاومتان . أي يكبر نصف الموجة فقط ، عندما تكون نقطة تشغيل الترانزيستور بالضبط عند انطواء المنحنى الخاص له .
وفي نقطة التشغيل أحادية الشوط (A) ترسب نقطة التشغيل في وسط نطاق توجيه الإشارة.
وتستعمل في المكبرات أحادية الشوط ومكبرات تعاكس الشوط .
وفي نقطة التشغيل ثنائية الشوط (B) ترسب نقطة التشغيل في أسفل نهاية نطاق توجيه الإشارة .
وفي نقطة تشغيل ازدواج الشوط (AB) ترسب نقطة التشغيل في بالقرب من وسط نطاق توجيه الإشارة ، وذلك خلال ضعف أو نقص التوجيه ، وخلال تقوية التوجيه تتحول نقطة التشغيل إلى أسفل نهاية نطاق توجيه الإشارة .
وفي نقطة التشغيل ثلاثية الشوط © ترسب نقطة التشغيل في أسفل نهاية نطاق توجيه الإشارة أي في نطاق الحجز .
أما ما يخص (FET)
فهو أحادي القطبية (unipolar) ، والذي يسري به التيار خلال منطقة واحدة فقط كترانزيستور FET مثلا ، أي ترانزيستور تأثير المجال . ويتأثر فيه مجالا كهربائيا عن طريق قناة نصف موصلة للتيار .
و الترانزيستور "العادي"
ترانزيستور ثنائي القطبية (bipolar) ، حيث يسري تيار الحمل خلال عدة مناطق فيه .
وثنائي القطبية يتكون من ثلاثة طبقات تحد قريبا على بعضها البعض للمواد النصف ناقلة حيث إذا مر تيار في أحد هذه الطبقات فيأثر على الطبقة الأخرى .
جدول المعطيات البيانية للمكونات النصف موصلة
المعطيات البيانية الخاصة لتعريف خواص العناصر النصف موصله:
(التعريف الأوربي Pro Electron)
تُعريف العناصر الإلكترونية بحرفين وثلاثة أرقام : أول حرف (من اليسار) يعني المواد المصنوع منها العنصر :
الحرف الأول :
= Aمن مادة الجرمانيوم
B = من مادة السليكون
C = من مادة جاليوم الزرنيخ , الخ ..
R = العناصر الضوئية ومولد الـدَوِيّ (هول)
الحرف الثاني : يعرف عن الوظـيفة الرئيسية للعنصر :
A= الصمام الثنائي للإشارة الضعيفة ، تقويم وتعشيق
B = الصمام الثنائي السعوي
C = ترانزيستور لترددات المنخفضة
D = ترانزيستور قدرة لترددات المنخفضة
E = ثنائي إزاكي , او الصمام الثنائي النفقي
F = ترانزيستور للترددات العالية
G = صمام ثنائي للذبذبة للترددات العالية
H = مسبار الـدَوِيّ ، (هول ) المجالي
L = ترانزيستور القدر للترددات العالية
N = رابط او قارن بصـري
P = الصمام الثنائي والمكونات الضوئية
Q = الصمام الثنائي الباعث للضوء
R = تيريستور
S = ترانزيستور التعشيق
T = تيريستور
U = ترانزيستور القدرة للتعشيق
X = الصمام الثنائي للتضـاعف ( كاسكاد)
Y = الصمام الثنائي للقدرة
Z = صمام الزينر
واسمحي لي أن أضع ردي لكي على الصفحة الرئيسية ل- أسس هندسة كهربائية و الكترونية ليستفيد الآخرين أيضا .
أرجو أن أكون قد أفدك وإن ، لم يكن ذلك فأرجو التحديد الدقيق لم ينقصك ، وتمنياتي لكي بالنجاح
محمد زكي
